碳化硅磚用碳化硅為主要原料燒成的耐火制品。其主要特征是SiC為共價結合，不存在通常的燒結性，依靠化學反應生成新相達到燒結，即反應燒結；SiC具有熱導率高、高溫強度大、耐磨性優(yōu)、耐熱震、耐侵蝕等特點，為鋼鐵、有色金屬冶金工業(yè)使用的重要耐火材料。  碳化硅磚按結合方式不同可分為粘土結合碳化硅磚、%26beta;-碳化硅結合碳化硅磚、氧氮化硅結合碳化硅磚、氮化硅結合碳化硅磚和賽隆(Sialon)結合碳化硅磚。  碳化硅磚的起源可追溯到1903年法國和比利時用碳化硅制成鋅蒸餾爐的蒸餾罐。 碳化硅磚由于結合方式不同，其性能差別較大。

        制造工藝 粗 、中、細SiC的配方應為5：1：4。制造SiC磚原料一般選用黑色SiC，其化學成分如下：SiC 98．0％，游離C O．5％，F(xiàn)e 0．2％，游離SiO2 0．6％。由于結合方式不同，工藝過程有差異。不同結合方式的簡要工藝是(1)氮化硅結合碳化硅磚：用粗、中、細碳化硅顆粒和細硅粉成型的坯體，在純N2氣中，在1370℃產(chǎn)生一種以%26alpha;-SiC為骨架和以%26alpha;和%26beta;-Si3N4。為基質的氮化硅結合碳化硅磚。在基質中尚有少量殘留硅和SiO2N2在制品中，這些組分的相對含量隨制造工廠不同而異。(2)%26beta;-SiC結合碳化硅磚：將SiC、硅粉、炭粉按一定配比，混合、成型，在1400℃還原氣氛中燒成。在大多數(shù)情況下采用埋炭燒成。在燒成過程中，產(chǎn)生一種以%26alpha;-SiC為骨架，以細晶粒%26beta;-SiC為基質的%26beta;-Si3N4結合SiC磚。%26beta;-SiC是在燒成過程中，細硅粉與細碳粉反應生成的，這種產(chǎn)品也含有少量殘留硅和碳。(3)氧氮化硅結合碳化硅磚：這種磚配料時，細硅粉配比要少于si。N。結合碳化硅磚的配比。經(jīng)成型后，在富N2氣氛下(要求有一定的O2分壓)燒成，燒成溫度為1350～1400℃。成品是一種以%26alpha;-SiC為骨架，以為基質的Si2ON2結合SiC磚，在基質中存在少量的Si和Si3N4。(4)賽隆結合碳化硅磚：按一定粒度配比的SiC中配入Si3N4和Al2O3細粉。經(jīng)混合、加入結合劑，混練、成型后，在還原氣氛下燒成。制得的賽隆結合SiC磚是一種以%26alpha;-SiC為骨架，以賽隆為基質的耐火制品。這種磚由于賽隆基質的存在，粒子間強度提高，耐熱震性增強。其制造工藝流程見圖。些碳化硅磚制造工藝流程圖用途氮化硅結合碳化硅磚用于高爐下部爐身，代替粘土磚、高鋁磚或剛玉磚作內襯，可將爐襯壽命由4～6a提高到10a以上。用作鋁電解槽內襯，比用碳塊364內襯節(jié)能、耐用、不污染環(huán)境。此外，還用于熔融鋁導管等。

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